Coulomb scattering model for ultrathin silicon-on-insulator inversion layers
ISSN: 0003-6951
Año de publicación: 2002
Volumen: 80
Número: 20
Páginas: 3835-3837
Tipo: Artículo
ISSN: 0003-6951
Año de publicación: 2002
Volumen: 80
Número: 20
Páginas: 3835-3837
Tipo: Artículo