Caracterización de defectos en gap. Problemas de homogeneidad en obleas

Resumen

SE ESTUDIA LA NATURALEZA Y DISTRIBUCION DE DEFECTOS PUNTUALES Y DISLOCACIONES EN CRISTALES SEMICONDUCTORES DE GAP Y DE INP, MEDIANTE VARIAS TECNICAS DE ANALISIS, EN SU MAYORIA BASADAS EN LA MICROSCOPIA ELECTRONICA DE BARRIDO. SE HA ENCONTRADO QUE LA EMISION DE CATODOLUMINISCENCIA (CL) EN OBLEAS DE GAP NO ES OBLEAS DE GAP NO ES HOMOGENEA DEBIDO A LA DISTRIBUCION NO UNIFORME DE DEFECTOS PUNTUALES Y DISLOCACIONES. LAS MEDIDAS CONCUERDAN CON LAS OBTENIDAS MEDIANTE ESPECTROSCOPIA DE ANIQUILACION DE POSITRONES, UTILIZADA TAMBIEN EN ESTE TRABAJO. DESDE EL PUNTO DE VISTA DE LA DISTRIBUCION LOCAL DE DEFECTOS, SE HA COMPROBADO QUE TAMPOCO ES UNIFORME ALREDEDOR DE LAS DISLOCACIONES, EXISTIENDO DIFUSION DE VACANTES Y DE DEFECTOS DE ANTIESTRUCTURA HACIA LAS DISLOCACIONES. LOS RESULTADOS EN GAP Y EN INP POLICRISTALINAS MUESTRAN QUE TAMBIEN EXISTE SEGREGACION DE DEFECTOS PUNTUALES HACIA LAS FRONTERAS DE GRANO. POR OTRAS PARTE, EL CONTRASTE EN LAS IMAGENES DE MICROSCOPIA ELECTROACUSTICA DE BARRIDO EN LOS POLICRISTALES, ES MUY INTENSO EN LAS MACLAS Y NO SIEMPRE ES INTENSO EN LAS FRONTERAS DE GRANO.