Caracterización eléctrica de transistores basados en nitruros
- González Pérez, Benito
- Gámiz Pérez, Francisco
- Tirado Martín, Jose María
- García García, Javier Agustín
ISSN: 1134-5306
Año de publicación: 2007
Número: 29
Páginas: 31-39
Tipo: Artículo
Otras publicaciones en: Vector plus: miscelánea científico - cultural
Resumen
Los transistores más rápidos se consiguen gracias al crecimiento de diferentes semiconductores apilados. Entre los semiconductores es posible confinar una elevada concentración de electrones de alta movilidad, dando lugar a transistores con gran velocidad de respuesta. Cuando se emplea el sistema AlGaN/GaN, los enlaces interatómicos poseen un elevado carácter iónico. Estos iones generan intensos campos eléctricos internos, que inducen entre el AlGaN y el GaN una concentración de electrones de 1013 cm-2, un orden de magnitud superior a la alcanzada con otras estructuras típicas (AlGaAs/GaAs, AlGaAs/InGaAs/GaAs, GaInP/InGaAs/GaAs, etc.). En este artículo se expone un análisis de los aspectos fundamentales relacionados con la distribución de los electrones bajo la puerta de los transistores basados en nitruros.