Two-dimensional Monte Carlo simulation of DGSOI MOSFET misalignment

  1. Valin, R.
  2. Sampedro, C.
  3. Aldegunde, M.
  4. Garcia-Loureiro, A.
  5. Seoane, N.
  6. Godoy, A.
  7. Gamiz, F.
Revista:
IEEE Transactions on Electron Devices

ISSN: 0018-9383

Any de publicació: 2012

Volum: 59

Número: 6

Pàgines: 1621-1628

Tipus: Article

DOI: 10.1109/TED.2012.2192738 GOOGLE SCHOLAR

Objectius de Desenvolupament Sostenible

Font de les dades: Scopus