Análisis de la degradación del sistema Si-SiO2 producida por inyección Fowler-Nordheim

Resumen

- se ha realizado un estudio de la degradacion del sistema si-sio2 producida por inyeccion de corriente tunel fowler-nordheim. En particular se ha analizado el atrapamiento de carga electrica en el interior del oxido y la generacion de estados energeticos en la superficie de separacion oxido-semiconductor. En el aspecto teorico se han desarrollado y analizado metodos de caracterizacion tanto capacitivos como basados en la inyeccion tunel fowler-nordheim con corriente constante. Entre tales tecnicas se pueden destacar: un metodo basado en la simulacion de la curva de capacidad en alta frecuencia de una estructura mos con un perfil de impurezas arbitrario. Un metodo basado en el analisis de una curva de capacidad bidireccional en alta frecuencia a bajas temperaturas. Se ha calculado la respuesta de los estados superficiales durante la captacion de estas curvas. Un metodo basado en el analisis de los transitorios de tension durante la inyeccion fowler-nordheim con corriente constante. Se han analizado teoricamente los efectos del atrapamiento de carga en el interior de la barrera. Se ha discutido la informacion que se puede extraer de la tecnica de inyeccion a corriente constante combinandola con datos obtenidos a partir de las medidas de capacidad. En el aspecto experimental, se ha realizado un estudio de capacidades mos fabricadas en el cnm (barcelona). Se han puesto a punto diversas tecnicas de caracterizacion para la medida de la densidad de estados superficiales y de la seccion de captura de estos. Se ha montado y puesto a punto un sistema criogenico con posibilidad de excitacion optica en el rango de temperaturas 77-300 k y un sistema para la medida experimental de curvas i(v) y de transitorios de atrapamiento de carga con el que se ha analizado la carga atrapada y su posicion. Se ha estudiado tambien la generacion de estados superficiales y se ha propuesto un modelo con el fin de interpretar los mecanismos fisicos que dan