Estudio de las propiedades de transporte de electrones en laminas de inversion semiconductoras por el metodo de monte carlo

  1. GAMIZ PEREZ FRANCISCO JESUS
Dirigida per:
  1. Juan Antonio López Villanueva Director

Universitat de defensa: Universidad de Granada

Any de defensa: 1994

Tribunal:
  1. Juan Enrique Carceller Beltrán President
  2. Juan Antonio Jiménez Tejada Secretari
  3. Albert Cornet Calveras Vocal
  4. Daniel Pardo Collantes Vocal
  5. Lino Reggiani Vocal
Departament:
  1. ELECTRÓNICA Y TECNOLOGÍA DE COMPUTADORES

Tipus: Tesi

Teseo: 42394 DIALNET

Resum

En este trabajo se aborda el estudio teorico de las propiedades de transporte de gases de electrones quasi-bidimensionales contenidos en laminas de inversion tales como las existentes en estructuras mos: para ello, se realiza un estudio teorico de las propiedades electricas de electrones en laminas de inversion semiconductoras a partir de una formulacion cuantica del problema, se analiza detalladamente la cuantizacion del gas debido al confinamiento en pozos estrechos de potencial y se modelan teoricamente los diferentes mecanismos de dispersion. Una vez realizado el estudio y modelado de los electrones en laminas de inversion y de los diferentes mecanismos de dispersion se elaboran los programas de simulacion del comportamiento de electrones implementando el metodo de monte carlo. Se aplica la simulacion al estudio de la influencia de los diferentes parametros fisicos y tecnologicos sobre las propiedades de transporte.