Simulación mediante el método de Monte Carlo y modelado del transporte electrónico en transistores mos de canal corto

Abstract

En este trabajo se aborda la simulacion de transistores mos submicra. Se tienen en cuenta los efectos de canal corto por medio de la resolucion de la ecuacion de poisson bidimensional y los efectos de la cuatizacion por medio de la ecuacion de schroedinger. Las propiedades de transporte de estos dispositivos se han estudiado resolviendo la ecuacion de boltzmann mediante el metodo de monte carlo. Se detalla la estructura de bandas del semiconductor y los mecanismos de dispersion. Los resultados se utilizan para proponer modelos que nos permitan incorporar en simuladores de dispositivos mas simples y de circuitos los distintos fenomenos observados. Se han descrito las propiedades de mosfets de canal de si tenso sobre aleaciones de sige relajadas en diferentes configuraciones, tambien las propiedades de mosfets de sic cubico. En general, se describe la influencia de diferentes parametros fisicos y tecnologicos sobre las propiedades de transporte en mosfets fabricados con distintos materiales y estructuras.