Implications of nonparabolicity, warping, and inelastic phonon scattering on hole transport in pure Si and Ge within the effective mass framework

  1. Rodríguez-Bolívar, S.
  2. Gómez-Campos, F.M.
  3. Gámiz, F.
  4. Carceller, J.E.
Revista:
Journal of Applied Physics

ISSN: 0021-8979

Año de publicación: 2005

Volumen: 97

Número: 1

Tipo: Artículo

DOI: 10.1063/1.1823025 GOOGLE SCHOLAR
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