An efficient Monte Carlo procedure for studying hole transport in doped semiconductors
ISSN: 1569-8025
Año de publicación: 2004
Volumen: 3
Número: 3-4
Páginas: 329-332
Tipo: Artículo
ISSN: 1569-8025
Año de publicación: 2004
Volumen: 3
Número: 3-4
Páginas: 329-332
Tipo: Artículo