Double gate silicon on insulator transistors. A Monte Carlo study

  1. Gámiz, F.
  2. Roldán, J.B.
  3. Godoy, A.
  4. Carceller, J.E.
  5. Cartujo, P.
Revista:
Solid-State Electronics

ISSN: 0038-1101

Any de publicació: 2004

Volum: 48

Número: 6

Pàgines: 937-945

Tipus: Article

DOI: 10.1016/J.SSE.2003.12.017 GOOGLE SCHOLAR
Font de les dades: Scopus