Electron mobility in extremely thin single-gate silicon-on-insulator inversion layers

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Revista:
Journal of Applied Physics

ISSN: 0021-8979

Año de publicación: 1999

Volumen: 86

Número: 11

Páginas: 6269-6275

Tipo: Artículo

DOI: 10.1063/1.371684 GOOGLE SCHOLAR
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