Gate voltage and temperature dependencies of up and down times of RTS in MOS structures: A theoretical study

  1. Palma, A.
  2. Godoy, A.
  3. Jimenez-Tejada, J.A.
  4. Carceller, J.E.
Actas:
Proceedings of the International Conference on Noise in Physical Systems and 1/f Fluctuations

Año de publicación: 1997

Páginas: 210-213

Tipo: Aportación congreso

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