Understanding the improved performance of strained Si/Si1-xGex channel MOSFETs

  1. Roldán, J.B.
  2. Gámiz, F.
  3. López-Villanueva, J.A.
  4. Carceller, J.E.
Revista:
Semiconductor Science and Technology

ISSN: 0268-1242

Año de publicación: 1997

Volumen: 12

Número: 12

Páginas: 1603-1608

Tipo: Artículo

DOI: 10.1088/0268-1242/12/12/010 GOOGLE SCHOLAR
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