Low-temperature modelling of electron-velocity-overshoot effects on 70-250 nm gate-length MOSFETs

  1. Roldán, J.B.
  2. Gámiz, F.
  3. López-Villanueva, J.A.
  4. Carceller, J.E.
Actas:
Journal De Physique. IV : JP

ISSN: 1155-4339

Año de publicación: 1996

Volumen: 6

Número: 3

Páginas: 13-18

Tipo: Artículo

DOI: 10.1051/JP4:1996302 GOOGLE SCHOLAR
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