Effects of bulk-impurity and interface-charge on the electron mobility in MOSFETs

  1. Gámiz, F.
  2. Banqueri, J.
  3. Carceller, J.E.
  4. López-Villanueva, J.A.
Revista:
Solid State Electronics

ISSN: 0038-1101

Año de publicación: 1995

Volumen: 38

Número: 3

Páginas: 611-614

Tipo: Artículo

DOI: 10.1016/0038-1101(94)00129-4 GOOGLE SCHOLAR
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