Investigating the transient response of Schottky barrier back-gated MoS2 transistors

  1. Marquez, C.
  2. Salazar, N.
  3. Gity, F.
  4. Navarro, C.
  5. Mirabelli, G.
  6. C Galdon, J.
  7. Duffy, R.
  8. Navarro, S.
  9. K Hurley, P.
  10. Gamiz, F.
Revista:
2D Materials

ISSN: 2053-1583

Año de publicación: 2020

Volumen: 7

Número: 2

Tipo: Artículo

DOI: 10.1088/2053-1583/AB7628 GOOGLE SCHOLAR

Objetivos de desarrollo sostenible

Fuente de los datos: Scopus