Experimental characterization of the random telegraph noise signature in MOSFETs under the Influence of Magnetic Fields

  1. Huerta, O.
  2. Marquez, C.
  3. Tec-Chim, A.I.
  4. Guarin, F.
  5. Gutierrez, E.A.D.
  6. Gamiz, F.
Revista:
IEEE Electron Device Letters

ISSN: 0741-3106

Ano de publicación: 2018

Volume: 39

Número: 7

Páxinas: 1054-1057

Tipo: Artigo

DOI: 10.1109/LED.2018.2835142 GOOGLE SCHOLAR
Fonte de datos: Scopus