Electrostatic performance of InSb, GaSb, Si and Ge p-channel nanowires

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Revista:
Journal of Physics D: Applied Physics

ISSN: 1361-6463 0022-3727

Año de publicación: 2017

Volumen: 50

Número: 49

Tipo: Artículo

DOI: 10.1088/1361-6463/AA9543 GOOGLE SCHOLAR