Comment on 'Optimization of a pocketed dual-metal-gate TFET by means of TCAD simulations accounting for quantization-induced bandgap widening'

  1. Padilla, J.L.
  2. Palomares, A.
  3. Gamiz, F.
Revista:
IEEE Transactions on Electron Devices

ISSN: 0018-9383

Año de publicación: 2016

Volumen: 63

Número: 12

Páginas: 5077-5078

Tipo: Artículo

DOI: 10.1109/TED.2016.2621158 GOOGLE SCHOLAR
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