Switching Behavior Constraint in the Heterogate Electron-Hole Bilayer Tunnel FET: The Combined Interplay between Quantum Confinement Effects and Asymmetric Configurations

  1. Padilla, J.L.
  2. Alper, C.
  3. Gamiz, F.
  4. Ionescu, A.M.
Revista:
IEEE Transactions on Electron Devices

ISSN: 0018-9383

Año de publicación: 2016

Volumen: 63

Número: 6

Páginas: 2570-2576

Tipo: Artículo

DOI: 10.1109/TED.2016.2556083 GOOGLE SCHOLAR
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