Electrical characterization of Random Telegraph Noise in Fully-Depleted Silicon-On-Insulator MOSFETs under extended temperature range and back-bias operation

  1. Marquez, C.
  2. Rodriguez, N.
  3. Gamiz, F.
  4. Ruiz, R.
  5. Ohata, A.
Revista:
Solid-State Electronics

ISSN: 0038-1101

Año de publicación: 2016

Volumen: 117

Páginas: 60-65

Tipo: Artículo

DOI: 10.1016/J.SSE.2015.11.022 GOOGLE SCHOLAR
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