Band-to-band tunneling distance analysis in the heterogate electron-hole bilayer tunnel field-effect transistor

  1. Padilla, J.L.
  2. Palomares, A.
  3. Alper, C.
  4. Gámiz, F.
  5. Ionescu, A.M.
Revista:
Journal of Applied Physics

ISSN: 1089-7550,  0021-8979

Año de publicación: 2016

Volumen: 119

Número: 4

Tipo: Artículo

DOI: 10.1063/1.4940741 GOOGLE SCHOLAR
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