Quantum Mechanical Confinement in the Fin Electron-Hole Bilayer Tunnel Field-Effect Transistor

  1. Padilla, J.L.
  2. Alper, C.
  3. Gámiz, F.
  4. Ionescu, A.M.
Aldizkaria:
IEEE Transactions on Electron Devices

ISSN: 0018-9383

Argitalpen urtea: 2016

Alea: 63

Zenbakia: 8

Orrialdeak: 3320-3326

Mota: Artikulua

DOI: 10.1109/TED.2016.2574893 GOOGLE SCHOLAR
Datuen iturria: Scopus