The unexpected beneficial effect of the L -valley population on the electron mobility of GaAs nanowires

  1. Marin, E.G.
  2. Ruiz, F.G.
  3. Godoy, A.
  4. Tienda-Luna, I.M.
  5. Gámiz, F.
Revista:
Applied Physics Letters

ISSN: 0003-6951

Año de publicación: 2015

Volumen: 106

Número: 2

Tipo: Artículo

DOI: 10.1063/1.4906040 GOOGLE SCHOLAR
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