Impact of the back-gate biasing on trigate MOSFET electron mobility

  1. Marin, E.G.
  2. Ruiz, F.G.
  3. Godoy, A.
  4. Tienda-Luna, I.M.
  5. Martinez-Blanque, C.
  6. Gamiz, F.
Revista:
IEEE Transactions on Electron Devices

ISSN: 0018-9383

Año de publicación: 2015

Volumen: 62

Número: 1

Páginas: 224-227

Tipo: Artículo

DOI: 10.1109/TED.2014.2367574 GOOGLE SCHOLAR
Fuente de los datos: Scopus