Analytical model for the threshold voltage of III-V nanowire transistors including quantum effects

  1. Marin, E.G.
  2. Ruiz, F.G.
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  5. Gámiz, F.
Revista:
Solid-State Electronics

ISSN: 0038-1101

Año de publicación: 2014

Volumen: 92

Páginas: 28-34

Tipo: Artículo

DOI: 10.1016/J.SSE.2013.10.022 GOOGLE SCHOLAR
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