An inversion-charge analytical model for square gate-all-around MOSFETs

  1. Moreno Pérez, E.
  2. Roldán Aranda, J.B.
  3. García Ruiz, F.J.
  4. Barrera Rosillo, D.
  5. Ibáñez Pérez, M.J.
  6. Godoy, A.
  7. Gámiz, F.
Revista:
IEEE Transactions on Electron Devices

ISSN: 0018-9383

Año de publicación: 2011

Volumen: 58

Número: 9

Páginas: 2854-2861

Tipo: Artículo

DOI: 10.1109/TED.2011.2159222 GOOGLE SCHOLAR
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