An analytical I-V model for surrounding-gate transistors that includes quantum and velocity overshoot effects

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Revista:
IEEE Transactions on Electron Devices

ISSN: 0018-9383

Año de publicación: 2010

Volumen: 57

Número: 11

Páginas: 2925-2933

Tipo: Artículo

DOI: 10.1109/TED.2010.2067217 GOOGLE SCHOLAR
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