A in-depth simulation study of CMOS inverters based on the novel surrounding gate transistors

  1. Roldán, A.
  2. Roldán, J.B.
  3. Gámiz, F.
Actes:
Proceedings - International Conference on Advances in Electronics and Micro-electronics, ENICS 2008

ISBN: 9780769533704

Any de publicació: 2008

Pàgines: 15-19

Tipus: Aportació congrés

DOI: 10.1109/ENICS.2008.8 GOOGLE SCHOLAR
Font de les dades: Scopus