Quantum-corrected Monte Carlo simulation of double gate silicon on insulation transistors

  1. Sampedro, C.
  2. Gámiz, F.
  3. Godoy, A.
Revista:
Journal of Computational and Theoretical Nanoscience

ISSN: 1546-1955

Any de publicació: 2008

Volum: 5

Número: 6

Pàgines: 1046-1057

Tipus: Revisió

DOI: 10.1166/JCTN.2008.2540 GOOGLE SCHOLAR
Font de les dades: Scopus