Modeling the centroid and the inversion charge in cylindrical surrounding gate MOSFETs, including quantum effects

  1. Roldán, J.B.
  2. Godoy, A.
  3. Gámiz, F.
  4. Balaguer, M.
Revista:
IEEE Transactions on Electron Devices

ISSN: 0018-9383

Año de publicación: 2008

Volumen: 55

Número: 1

Páginas: 411-416

Tipo: Artículo

DOI: 10.1109/TED.2007.911096 GOOGLE SCHOLAR
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