On the gate capacitance limits of nanoscale DG and FD SOI MOSFETs

  1. Ge, L.
  2. Gámiz, F.
  3. Workman, G.O.
  4. Veeraraghavan, S.
Revista:
IEEE Transactions on Electron Devices

ISSN: 0018-9383

Año de publicación: 2006

Volumen: 53

Número: 4

Páginas: 753-758

Tipo: Artículo

DOI: 10.1109/TED.2006.871412 GOOGLE SCHOLAR
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