Simulation and modelling of transport properties in strained-Si and strained-Si/SiGe-on-insulator MOSFETs

  1. Roldán, J.B.
  2. Gámiz, F.
Revista:
Solid-State Electronics

ISSN: 0038-1101

Año de publicación: 2004

Volumen: 48

Número: 8

Páginas: 1347-1355

Tipo: Artículo

DOI: 10.1016/J.SSE.2004.01.016 GOOGLE SCHOLAR
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