Electron mobility in ultrathin silicon-on-insulator layers at 4.2 K

  1. Prunnila, M.
  2. Ahopelto, J.
  3. Gamiz, F.
Revista:
Applied Physics Letters

ISSN: 0003-6951

Año de publicación: 2004

Volumen: 84

Número: 13

Páginas: 2298-2300

Tipo: Artículo

DOI: 10.1063/1.1687980 GOOGLE SCHOLAR
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