Temperature behaviour of electron mobility in double-gate silicon on insulator transistors

  1. Gámiz, F.
Revista:
Semiconductor Science and Technology

ISSN: 0268-1242

Año de publicación: 2004

Volumen: 19

Número: 1

Páginas: 113-119

Tipo: Artículo

DOI: 10.1088/0268-1242/19/1/019 GOOGLE SCHOLAR
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