Strained-Si/SiGe-on-insulator inversion layers: The role of strained-Si layer thickness on electron mobility

  1. Gámiz, F.
  2. Roldán, J.B.
  3. Godoy, A.
Revista:
Applied Physics Letters

ISSN: 0003-6951

Año de publicación: 2002

Volumen: 80

Número: 22

Páginas: 4160-4162

Tipo: Artículo

DOI: 10.1063/1.1483907 GOOGLE SCHOLAR
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