Strained-Si on Si1-xGex MOSFET inversion layer centroid modeling

  1. Roldán, J.B.
  2. Gámiz, F.
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  4. Cartujo, P.
  5. Godoy, A.
Revista:
IEEE Transactions on Electron Devices

ISSN: 0018-9383

Año de publicación: 2001

Volumen: 48

Número: 10

Páginas: 2447-2449

Tipo: Artículo

DOI: 10.1109/16.954492 GOOGLE SCHOLAR
Fuente de los datos: Scopus