Effects of the inversion-layer centroid on the performance of double-gate MOSFET's

  1. Lopez-Villanueva, Juan A.
  2. Cartujo-Cassinello, Pedro
  3. Gamiz, Francisco
  4. Banqueri, Jesus
  5. Palma, Alberto J.
Revista:
IEEE Transactions on Electron Devices

ISSN: 0018-9383

Año de publicación: 2000

Volumen: 47

Número: 1

Páginas: 141-146

Tipo: Artículo

DOI: 10.1109/16.817579 GOOGLE SCHOLAR
Fuente de los datos: Scopus