A β-SiC MOSFET Monte Carlo simulator including inversion layer quantization

  1. Gámiz, F.
  2. Roldán, J.B.
  3. López-Villanueva, J.A.
Revue:
VLSI Design

ISSN: 1065-514X

Année de publication: 1998

Volumen: 8

Número: 1-4

Pages: 257-260

Type: Article

DOI: 10.1155/1998/94915 GOOGLE SCHOLAR lock_openAccès ouvert editor

Objectifs de Développement Durable

La source de données: Scopus