Influence of mobility fluctuations on random telegraph signal amplitude in n-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors

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Revista:
Journal of Applied Physics

ISSN: 0021-8979

Año de publicación: 1997

Volumen: 82

Número: 9

Páginas: 4621-4628

Tipo: Artículo

DOI: 10.1063/1.366200 GOOGLE SCHOLAR
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