Influence of the doping profile on electron mobility in a mosfet

  1. Gâmiz, F.
  2. LöpezVillanueva, J.A.
Revista:
IEEE Transactions on Electron Devices

ISSN: 0018-9383

Año de publicación: 1996

Volumen: 43

Número: 11

Páginas: 20232025

Tipo: Artículo

GOOGLE SCHOLAR
Fuente de los datos: Scopus