Influence of negatively and positively charged scattering centers on electron mobility in semiconductor inversion layers: A Monte Carlo study

  1. Gámiz, F.
  2. López-Villanueva, J.A.
Revista:
Journal of Applied Physics

ISSN: 0021-8979

Año de publicación: 1995

Volumen: 78

Número: 3

Páginas: 1787-1792

Tipo: Artículo

DOI: 10.1063/1.360209 GOOGLE SCHOLAR
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