A model for the quantized accumulation layer in metal-insulator-semiconductor structures
ISSN: 0038-1101
Any de publicació: 1995
Volum: 38
Número: 1
Pàgines: 203-210
Tipus: Article
ISSN: 0038-1101
Any de publicació: 1995
Volum: 38
Número: 1
Pàgines: 203-210
Tipus: Article