Resistive switching and charge transport in laser-fabricated graphene oxide memristors: A time series and quantum point contact modeling approach

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Revista:
Materials

ISSN: 1996-1944

Año de publicación: 2019

Volumen: 12

Número: 22

Tipo: Artículo

DOI: 10.3390/MA12223734 GOOGLE SCHOLAR lock_openAcceso abierto editor
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