Erratum: Analytic model for the surface potential and drain current in negative capacitance field-effect transistors (IEEE Transactions on Electron Devices (2010) 57:10 (2405-2409))

  1. Jiménez, D.
  2. Miranda, E.
  3. Godoy, A.
Revista:
IEEE Transactions on Electron Devices

ISSN: 0018-9383

Any de publicació: 2011

Volum: 58

Número: 8

Pàgines: 2818

Tipus: Errata

DOI: 10.1109/TED.2011.2149532 GOOGLE SCHOLAR
Font de les dades: Scopus