Determination of the concentration of recombination centers in thin asymmetrical p-n junctions from capacitance transient spectroscopy

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Revista:
Applied Physics Letters

ISSN: 0003-6951

Año de publicación: 2006

Volumen: 89

Número: 11

Tipo: Artículo

DOI: 10.1063/1.2348772 GOOGLE SCHOLAR
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