Current transient response and role of the internal resistance in HfOx-based memristors

  1. Gonzalez, M.B.
  2. Maestro-Izquierdo, M.
  3. Jiménez-Molinos, F.
  4. Roldán, J.B.
  5. Campabadal, F.
Zeitschrift:
Applied Physics Letters

ISSN: 0003-6951

Datum der Publikation: 2020

Ausgabe: 117

Nummer: 26

Art: Artikel

DOI: 10.1063/5.0031575 GOOGLE SCHOLAR

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