Neural network based analysis of random telegraph noise in resistive random access memories

  1. González-Cordero, G.
  2. González, M.B.
  3. Morell, A.
  4. Jiménez-Molinos, F.
  5. Campabadal, F.
  6. Roldán, J.B.
Revista:
Semiconductor Science and Technology

ISSN: 1361-6641,  0268-1242

Año de publicación: 2020

Volumen: 35

Número: 2

Tipo: Artículo

DOI: 10.1088/1361-6641/AB6103 GOOGLE SCHOLAR
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