Analysis of the statistics of device-to-device and cycle-to-cycle variability in TiN/Ti/Al:HfO2/TiN RRAMs

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Revista:
Microelectronic Engineering

ISSN: 0167-9317

Año de publicación: 2019

Volumen: 214

Páginas: 104-109

Tipo: Artículo

DOI: 10.1016/J.MEE.2019.05.004 GOOGLE SCHOLAR
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