A new parameter to characterize the charge transport regime in Ni/HfO2/Si-n+-based RRAMs

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Revista:
Solid-State Electronics

ISSN: 0038-1101

Año de publicación: 2016

Volumen: 118

Páginas: 56-60

Tipo: Artículo

DOI: 10.1016/J.SSE.2016.01.007 GOOGLE SCHOLAR
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